بازده اندک فرایند 4 نانومتری سامسونگ را مجبور به جایگزینی رئیس مرکز تحقیقات نیمه‌هادی کرد

تجارت نیمه‌هادی سامسونگ موضوع بحث‌برانگیزی به حساب می‌آید، مخصوصاً زمانی که فرایند پیشرفته 4 نانومتری را شامل می‌شود. طبق گزارش wccftech، غول کره‌جنوبی به‌دلیل از دست دادن مشتریان و در نتیجه کسب و کار، چاره‌ای جز جایگزینی رئیس مرکز تحقیقات نیمه‌هادی خود نداشت. مرکز تحقیقات نیمه‌هادی سامسونگ روی توسعه تراشه‌های نسل بعدی متمرکز شده است؛ درحالی‌که این شرکت اکنون برای جلوگیری از مشکلات آینده به بخش‌های مختلف نیاز دارد.

طبق اطلاعات جدید Business Korea، درحال‌حاضر سامسونگ Song Jae-hyuk، نایب‌رئیس و رئیس بخش توسعه فلش را به‌عنوان رئیس جدید مرکز تحقیقات نیمه‌هادی منصوب کرده است. بزرگ‌ترین دستاورد Song تغییر فلش‌های NAND عمودی و توسعه فلش‌های NAND super-stacked بود.

تغییرات دیگری نیز در بخش‌های مختلف کسب‌وکار سامسونگ، از جمله تولید حافظه، ریخته‌گری و راهکارهای دستگاه صورت گرفته است. تحلیلگری ناشناس در یکی از شرکت‌های سرمایه‌گذاری بیان کرد که تغییر بخشی غیرعادی است؛ اما به‌نظر می‌رسد سامسونگ قصد دارد راهکاری برای مشکلات بیابد؛ از جمله راهکاری که بتواند درصد بازدهی مطلوبی از تراشه‌های نسل بعدی ایجاد کند. Samsung Electronics به دلیل بازدهی پایین و عدم توسعه DRAM های نسل پنجم دچار انحراف مشتریان کارخانه ریخته‌گری شده است. به‌نظر می‌رسد که این شرکت به دنبال یافتن راهکارهایی برای این مشکلات است.

بر کسی پوشیده نیست که سامسونگ با فرایند 4 نانومتری خود دست و پنجه نرم می‌کرد، که احتمالاً همین امر باعث تعدیل مدیران ارشد شده است. طبق شایعات منتشر شده قبلی، سامسونگ نرخ بازدهی حدود 35 درصد را تجربه کرده است؛ درحالی‌که گفته می‌شود TSMC بیش از 70 درصد بازدهی دارد. این موضوع به طور طبیعی کوالکام را مجبور کرد تا فرایند 4 نانومتری سامسونگ را کنار بگذارد و به TSMC بپیوندد. اگر اطلاع ندارید، جدیدترین تراشه‌ی Snapdragon 8 Plus Gen 1 کوالکام به‌صورت انبوه در گره 4 نانومتری این غول تایوانی تولید می‌شود.

این تغییر نیز احتمالاً برای بهبود نرخ بازده فناوری 3 نانومتری GAA آینده‌ی خود اعمال می‌شود که طبق شنیده‌ها، تولید انبوه آن در نیمه دوم سال 2022 آغاز خواهد شد. طبق گزارشی، سامسونگ از جو بایدن، رئیس‌جمهور ایالات متحده دعوت کرده است تا از تأسیسات تولید 3 نانومتری بازدید کند. علاوه‌براین، احتمالاً او را متقاعد می‌کند که به شرکت‌های آمریکایی مانند کوالکام اجازه دهد باردیگر با تولیدکنندگان کره‌ای همکاری کنند. متأسفانه به‌نظر می‌رسد پیشرفت در فناوری 3 نانومتری GAA در حال کاهش است؛ زیرا گفته می‌شود سامسونگ نرخ بازدهی بدتری نسبت به فناوری 4 نانومتری خود دارد.

تغییر ساختار می‌تواند تراشه‌های آینده گوشی‌های هوشمند سامسونگ را برای پرچم‌داران گلکسی نیز بهبود بخشد. به‌نظر می‌رسد این شرکت کارگروهی مشترک برای توسعه سیلیکون سفارشی ایجاد کرده است که از رقبا پیشی خواهد گرفت. این کارگروه شامل کارمندانی می‌شود که از بخش‌های مختلف کسب‌وکار سامسونگ استخدام شده‌اند تا با هم کار و از هر گونه مشکلی جلوگیری کنند؛ اما باید چند سال طول بکشد تا این برنامه‌ها نتایج واقعی را نشان دهند.